Главные особенности модуля памяти Kingston KHX6400S2LLK2/4G

DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200-контактный, 2×2 Гб, 1.8 В, CL 5

Технические свойства модуля памяти Kingston KHX6400S2LLK2/4G

Форм-фактор: SODIMM 200-контактный Объем: 2 модуля по 2 Гб Тип памяти: DDR2 Тактовая частота: 800 МГц Поддержка ECC: нет Буферизованная (Registered): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Пропускная способность: 6400 Мб/с CAS Latency (CL): 5 RAS to CAS Delay (tRCD): 5 Row Precharge Delay (tRP): 5 Activate to Precharge Delay (tRAS): 18 Напряжение питания: 1.8 В